P+F倍(bei)加福(fu)矽(gui)片(pian)檢(jian)測(ce)過程(cheng)

    自(zi)“壹帶(dai)壹路”倡議提(ti)出以來，中(zhong)國(guo)致力(li)於發展(zhan)綠(lv)色(se)絲綢之(zhi)路，加強(qiang)與(yu)沿線國(guo)家(jia)的(de)合(he)作(zuo)，促(cu)進共(gong)同(tong)發展(zhan)。光(guang)伏(fu)也成(cheng)為(wei)了(le)“壹帶(dai)壹路”上類(lei)似(si)高(gao)鐵、核電(dian)等優勢(shi)產(chan)業走(zou)出去的(de)壹部(bu)分，在(zai)沿線國(guo)家(jia)及(ji)區(qu)域(yu)的(de)可再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)應(ying)用(yong)上也(ye)起(qi)到(dao)了(le)巨大推動(dong)作(zuo)用(yong)。
    太(tai)陽能以其(qi)無(wu)汙(wu)染(ran)、可(ke)持(chi)續、總量(liang)大、分布廣(guang)等優點頗(po)受(shou)青睞(lai)。不止是(shi)建(jian)築(zhu)用(yong)，從光(guang)伏(fu)與農(nong)業(ye)的(de)結(jie)合(he)到(dao)3C產(chan)品，太陽能的(de)利(li)用(yong)已(yi)深(shen)入(ru)到(dao)日常(chang)生(sheng)活(huo)的(de)方方(fang)面面，而(er)保(bao)障(zhang)太(tai)陽能的(de)應用(yong)，光(guang)伏(fu)材料(liao)——矽(gui)片(pian)是(shi)源頭(tou)。壹方(fang)面(mian)，矽(gui)片(pian)的(de)內部(bu)缺陷和(he)雜(za)質會(hui)直接影響(xiang)電(dian)池的(de)效(xiao)率(lv)和(he)穩(wen)定性，另(ling)壹方(fang)面(mian)，矽(gui)片(pian)的(de)外(wai)觀(guan)缺(que)陷(xian)和(he)表面質(zhi)量對(dui)電池(chi)的(de)制造和外(wai)觀(guan)也(ye)有(you)直(zhi)接的(de)影響(xiang)。
    從矽(gui)礦(kuang)石(shi)的(de)提煉(lian)到(dao)矽(gui)片(pian)的(de)生(sheng)產(chan)以及(ji)電(dian)池(chi)片(pian)的(de)加工(gong)運(yun)輸(shu)過程(cheng)，如(ru)何(he)實現並(bing)確保矽(gui)片(pian)的(de)完整性？檢(jian)測(ce)設備如(ru)何(he)、地(di)測(ce)出壞(huai)損(sun)？

加快(kuai)檢(jian)測(ce)過程(cheng)的(de)響(xiang)應(ying)時間
倍加福(fu)扁(bian)平(ping)型光(guang)電(dian)R2F/R3F具有(you)Powerbeam清(qing)晰(xi)紅光(guang)和(he)Durabeam激(ji)光(guang)兩(liang)種(zhong)可選(xuan)光(guang)源(yuan)，紅光(guang)漫(man)反(fan)射(she)0.5ms和(he)激(ji)光(guang)漫(man)反(fan)射(she)0.25ms的(de)快速響(xiang)應(ying)時間大大提高(gao)了(le)設備的(de)運(yun)行(xing)速率(lv),保證了(le)客戶的(de)高產(chan)能需(xu)求(qiu)。
穩(wen)定檢(jian)測(ce)矽(gui)片(pian)
矽(gui)片(pian)的(de)檢(jian)測(ce)從光(guang)伏(fu)產(chan)業上遊(you)貫穿到(dao)中(zhong)遊(you)，在(zai)各種(zhong)矽(gui)片(pian)自(zi)動(dong)化(hua)設備中(zhong)都顯得非(fei)常(chang)重要，尤(you)其(qi)是(shi)矽(gui)片(pian)經(jing)化(hua)學(xue)處理（如(ru)清(qing)洗(xi)、擴(kuo)散(san)、蝕(shi)刻等(deng)）後(hou)其(qi)反(fan)射(she)率(lv)會(hui)有較大的(de)改變(bian)。倍加福(fu)扁(bian)平(ping)式光(guang)電(dian)R2F/R3F具有(you)的(de)背景抑(yi)制功能，在(zai)檢(jian)測(ce)過程(cheng)中(zhong)幾(ji)乎(hu)不受(shou)矽(gui)片(pian)的(de)反(fan)射(she)率(lv)影(ying)響(xiang)，保(bao)證了(le)矽(gui)片(pian)檢(jian)測(ce)的(de)可靠性。
提高(gao)定位精(jing)度(du)
新型(xing)激(ji)光(guang)技(ji)術(shu)DuraBeam Laser也(ye)使得R2F/R3F成(cheng)為(wei)市(shi)場(chang)上zui為(wei)扁(bian)平(ping)的(de)激(ji)光(guang)產(chan)品。DuraBeam激(ji)光(guang)是(shi)充分結(jie)合(he)了(le)LED光(guang)源(yuan)和激(ji)光(guang)傳(chuan)感器(qi)的(de)優點，具(ju)有(you)更(geng)長的(de)使用(yong)壽命(ming)。與傳(chuan)統(tong)激(ji)光(guang)相比(bi)，DuraBeam激(ji)光(guang)光(guang)斑(ban)小(xiao)而且(qie)呈(cheng)現(xian)圓形(xing)，這(zhe)對(dui)於矽(gui)片(pian)的(de)定位檢(jian)測(ce)來說(shuo)具有(you)兩(liang)大優勢(shi)：壹，對(dui)傳(chuan)感器(qi)安裝(zhuang)方(fang)位(wei)無(wu)要求；二(er)，小(xiao)光(guang)點(dian)提高(gao)了(le)定位的(de)精度(du)要求(qiu)。

R2R3系列(lie)產(chan)品完善，為(wei)多(duo)樣(yang)化(hua)的(de)應用(yong)需(xu)求(qiu)提供的(de)解決(jue)方案
創(chuang)新的(de)DuraBeam激(ji)光(guang)技(ji)術(shu)，提(ti)高產(chan)品的(de)耐(nai)用(yong)性，適(shi)合(he)用(yong)在(zai)較寬的(de)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)
背景抑(yi)制型漫反(fan)射(she)傳(chuan)感器(qi)，能可(ke)靠地(di)檢(jian)測(ce)目標(biao)物(wu)，屏(ping)蔽背(bei)景
反(fan)射(she)板(ban)型(xing)傳(chuan)感器(qi)，通過降低(di)接線成(cheng)本(ben)，高性價比(bi)，可有(you)效(xiao)替(ti)換(huan)對(dui)射型(xing)產(chan)品
防靜(jing)電(dian)耐(nai)刮(gua)擦鏡片，保(bao)證了(le)產(chan)品的(de)耐(nai)用(yong)性，並不受(shou)偶爾碰(peng)撞的(de)影響(xiang)，防(fang)止灰(hui)塵(chen)吸(xi)附(fu)。

P+F倍(bei)加福(fu)矽(gui)片(pian)檢(jian)測(ce)過程(cheng)